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光刻膠如同刻畫電路的顏料,國安它在顯影液中的運動,直接決定電路畫得準(zhǔn)不準(zhǔn)、好不好,進(jìn)而影響芯片良率。塞有分光刻技術(shù)是推動集成電路芯片制程工藝持續(xù)微縮的核心驅(qū)動力之一。

肖赧:國安新帥與塞蒂恩理念有分歧和爭執(zhí),看到了問題所在

彭海琳表示,蒂恩冷凍電子斷層掃描技術(shù)為在原子/分子尺度上解析各類液相界面反應(yīng)提供了強大工具。深入掌握液體中聚合物的結(jié)構(gòu)與微觀行為,理念可推動先進(jìn)制程中光刻、蝕刻和濕法清洗等關(guān)鍵工藝的缺陷控制與良率提升。研究人員最終合成出一張分辨率優(yōu)于5納米的微觀三維全景照片,歧和一舉克服了傳統(tǒng)技術(shù)無法原位、三維、高分辨率觀測的三大痛點。

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顯影是光刻的核心步驟之一,爭執(zhí)通過顯影液溶解光刻膠的曝光區(qū)域,將電路圖案精確轉(zhuǎn)移到硅片上。近日,問題北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù),問題首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為,指導(dǎo)開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。

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為破解難題,肖赧新帥研究團(tuán)隊首次將冷凍電子斷層掃描技術(shù)引入半導(dǎo)體領(lǐng)域。長期以來,國安光刻膠在顯影液中的微觀行為是黑匣子,工業(yè)界的工藝優(yōu)化只能靠反復(fù)試錯,這成為制約7納米及以下先進(jìn)制程良率提升的關(guān)鍵瓶頸之一10月21日,塞有分商務(wù)部部長王文濤應(yīng)約與歐盟委員會貿(mào)易和經(jīng)濟(jì)安全委員謝夫喬維奇舉行視頻會談,塞有分就出口管制、歐盟對華電動汽車反補貼案等中歐經(jīng)貿(mào)重點議題深入交換意見。中方愿與歐方共同努力,蒂恩積極落實中歐領(lǐng)導(dǎo)人經(jīng)貿(mào)共識,推動中歐經(jīng)貿(mào)關(guān)系健康穩(wěn)定發(fā)展。王文濤表示,理念今年7月,第二十五次中歐領(lǐng)導(dǎo)人會晤成功舉行,9月,李強總理再次會見歐委會主席馮德萊恩。圍繞安世半導(dǎo)體等問題商務(wù)部部長與荷方通話10月21日,歧和商務(wù)部部長王文濤應(yīng)約與荷蘭經(jīng)濟(jì)大臣卡雷曼斯通話,雙方圍繞安世半導(dǎo)體等問題交換意見。關(guān)于稀土出口管制問題,爭執(zhí)中方近期措施是依法依規(guī)完善中國出口管制體系的正常做法,體現(xiàn)了中國維護(hù)世界和平穩(wěn)定的大國擔(dān)當(dāng)。