震中距離堪察加彼得羅巴甫洛夫斯克市373千米，韶光震源深度22.2千米。

光刻膠如同刻畫電路的顏料，共憔它在顯影液中的運動，直接決定電路畫得準(zhǔn)不準(zhǔn)、好不好，進而影響芯片良率。不堪光刻技術(shù)是推動集成電路芯片制程工藝持續(xù)微縮的核心驅(qū)動力之一。

彭海琳表示，韶光冷凍電子斷層掃描技術(shù)為在原子/分子尺度上解析各類液相界面反應(yīng)提供了強大工具。深入掌握液體中聚合物的結(jié)構(gòu)與微觀行為，共憔可推動先進制程中光刻、蝕刻和濕法清洗等關(guān)鍵工藝的缺陷控制與良率提升。研究人員最終合成出一張分辨率優(yōu)于5納米的微觀三維全景照片，不堪一舉克服了傳統(tǒng)技術(shù)無法原位、三維、高分辨率觀測的三大痛點。

顯影是光刻的核心步驟之一，韶光通過顯影液溶解光刻膠的曝光區(qū)域，將電路圖案精確轉(zhuǎn)移到硅片上。近日，共憔北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù)，共憔首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為，指導(dǎo)開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。

為破解難題，不堪研究團隊首次將冷凍電子斷層掃描技術(shù)引入半導(dǎo)體領(lǐng)域。長期以來，韶光光刻膠在顯影液中的微觀行為是黑匣子，工業(yè)界的工藝優(yōu)化只能靠反復(fù)試錯，這成為制約7納米及以下先進制程良率提升的關(guān)鍵瓶頸之一來源：共憔直新聞當(dāng)?shù)貢r間10月25日上午，中美兩國經(jīng)貿(mào)團隊在馬來西亞吉隆坡開始舉行中美經(jīng)貿(mào)磋商。當(dāng)?shù)貢r間8月27日至29日，不堪李成鋼國際貿(mào)易談判代表兼副部長赴美國，不堪與美方圍繞落實中美兩國元首通話共識，就中美經(jīng)貿(mào)關(guān)系、落實中美經(jīng)貿(mào)會談共識等問題進行交流溝通，并就美對華造船等行業(yè)301調(diào)查限制措施等向美方提出交涉。中國商務(wù)部副部長李成鋼不請自來，韶光非常無禮？外交部、商務(wù)部駁斥。美方應(yīng)當(dāng)同中方在平等、共憔尊重和互惠基礎(chǔ)上，通過對話協(xié)商解決有關(guān)問題，而不是屢屢施壓、威脅恐嚇。請問對此有何評論？李成鋼副部長是否會針對這一評論作出回應(yīng)？何詠前圖源：不堪商務(wù)部網(wǎng)站商務(wù)部新聞發(fā)言人何詠前表示，不堪美方有關(guān)言論嚴(yán)重歪曲事實。