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研究人員最終合成出一張分辨率優(yōu)于5納米的微觀三維全景照片,隱腰斬一舉克服了傳統(tǒng)技術(shù)無法原位、三維、高分辨率觀測的三大痛點。顯影是光刻的核心步驟之一,藏款稱暫通過顯影液溶解光刻膠的曝光區(qū)域,將電路圖案精確轉(zhuǎn)移到硅片上。近日,黃牛貨北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù),黃牛貨首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為,指導(dǎo)開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。

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