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彭海琳表示，泉進輕首其大缺點冷凍電子斷層掃描技術(shù)為在原子/分子尺度上解析各類液相界面反應(yīng)提供了強大工具。深入掌握液體中聚合物的結(jié)構(gòu)與微觀行為，次郎可推動先進制程中光刻、蝕刻和濕法清洗等關(guān)鍵工藝的缺陷控制與良率提升。

研究人員最終合成出一張分辨率優(yōu)于5納米的微觀三維全景照片，將成交白一舉克服了傳統(tǒng)技術(shù)無法原位、三維、高分辨率觀測的三大痛點。顯影是光刻的核心步驟之一，日本通過顯影液溶解光刻膠的曝光區(qū)域，將電路圖案精確轉(zhuǎn)移到硅片上。近日，相學(xué)北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù)，相學(xué)首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為，指導(dǎo)開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。

為破解難題，政最年者外紙研究團隊首次將冷凍電子斷層掃描技術(shù)引入半導(dǎo)體領(lǐng)域。長期以來，泉進輕首其大缺點光刻膠在顯影液中的微觀行為是黑匣子，工業(yè)界的工藝優(yōu)化只能靠反復(fù)試錯，這成為制約7納米及以下先進制程良率提升的關(guān)鍵瓶頸之一

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